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SJ MOSFET

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SJ MOSFET

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  • RDS(ON) Max 3.3V(mΩ)
  • RDS(ON) Max 2.5V(mΩ)
  • RDS(ON) Max 1.8V(mΩ)
  • Qg Typ(nC)
  • Qgd Typ(nC)
  • Rth(JC) °C/W
  • Power Dissipation TA=25℃(W)
  • Power Dissipation TC=25℃(W)
  • MSL
  • HG-FREE
  • Part
  • Status
  • Type
  • Esd
  • Package
  • BVDSS[V]
  • VGS Max[±V]
  • VTH Typ[V]
  • RDS(ON) Max 10V(mΩ)
  • RDS(ON) Max 4.5V(mΩ)
  • ID(A)@25℃
Part
Esd
BVDSS[V]
1200 -200
VGS Max[±V]
100 -100
VTH Typ[V]
10 -10
ID(A)@25℃
300 -300
NEW
Single-N
NO
TO-251
700
30
3.8
600.0
--
8.0
NEW
Single-N
NO
TO-252
700
30
3.8
600.0
--
--
NEW
Single-N
NO
TO-220F
700
30
3.8
600.0
--
8.0
NEW
Single-N
NO
TO-220WF
700
30
3.0
420.0
--
11.0
NEW
Single-N
NO
TO-252
700
30
3.0
425.0
--
11.0
NEW
Single-N
NO
TO-220F
700
30
2.9
410.0
--
11.0
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